ZYNQ7020的DDR3配置

准备材料

自制ZYNQ7020核心板:

其中

CPU：xc7z020clg40-2 Zynq-7000 SoC Data Sheet: Overview (DS190) • 查看器 • AMD 技术信息门户网站

DDR3：mt41k256m16tw-107 ait:p 4Gb: x4, x8, x16 DDR3L SDRAM

配置記錄

在vivado中创建新项目，添加ZYNQ7 Processing System,并打开

选择DDR Configuration条目，勾选Enable DDR

进行DDR Controller的配置

Memory Type: DDR3

Memory Part: 软件提供的类型没有MT41K256M16-107，选择Custom

Effective DRAM Bus Width: 16Bit

Burst Length: 8

DDR: 533.333333 (默认最大时钟频率)

Internal Vref: 不勾选。需要根据DDR电路设计设置。我的板子是使用外部参考电压

Juntion Temperature: Normal

一些参数解释

Memory Type是DDR类型。ZYNQ7020是支持DDR2和DDR3。自制核心板使用DDR3。在DDR3中分DDR3和DDR3L,也就是常规版和低功耗版本。MT41K256M16是DDR3L，但同时兼容DDR3。在电路设计中直接使用1.5V供电，采用的是DDR3模式。

Memory Part Configuration

DRAM Device Capacity: 4096MBits (256M*16)

Speed Bin: 1600K, ZYNQ7020最大支持速度为1600。

根据datasheet,

MT41K256M16-107的速度为1866，但注释中可以后退到1600，CL=11，也就是-125的参考数据。

对于1600的后缀解释 DDR3 SDRAM - Wikipedia

因此，选择1600K

根据datasheet，对于256Mx16架构的DRAM，其有3根Bank地址线，15根行地址线，10根列地址线。

Bank Address Count: 3

Row Address Count: 15

Col Address Count: 10

根据-125提供的参考数据

CAS Latency: 11

RAS To CAS Delay:11

Perchaerge Time:11

根据datasheet的Table 55

tRC: 48.75

tRAS: 35

CAS Write Latency: 8

根据datasheet的Table 2可知，256M16的Page size为2KB。

那么根据Table 58的数据，在1600,2KB page size下 tFAW为40

tFAW: 40

其他保持默认。

DDR测试